HN4C51J(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- HN4C51J(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 53334 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- HN4C51J(TE85L,F).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-HN4C51J(TE85L,F) |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) Common Base |
| Supplier Device-Gehäuse: | SMV |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-74A, SOT-753 |
| Andere Namen: | HN4C51J(TE85LF)CT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 2mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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