FQU3P50TU
- Artikelnummer:
- FQU3P50TU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 53940 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.FQU3P50TU.pdf2.FQU3P50TU.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FQU3P50TU |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 500V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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