FDS86267P
- Artikelnummer:
- FDS86267P
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 150V
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 48815 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDS86267P.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDS86267P |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 255 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | FDS86267PTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1130pF @ 75V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 150V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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