FDD86367
- Artikelnummer:
- FDD86367
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
- Menge auf Lager:
- 42314 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDD86367.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDD86367 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 227W (Tj) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | FDD86367OSCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4840pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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