FDB3632_SB82115
- Artikelnummer:
- FDB3632_SB82115
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- INTEGRATED CIRCUIT
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 80515 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDB3632_SB82115.pdf
Einführung
We can supply FDB3632_SB82115, use the request quote form to request FDB3632_SB82115 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDB3632_SB82115.The price and lead time for FDB3632_SB82115 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDB3632_SB82115.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDB3632_SB82115 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 310W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FDB3632_SB82115
läst Nachrichten
- Onsemi startete die weltweit erste Mautverpackung 650 V Silicon Carbide MOSFET
- Das Motor Development Kit von ON Semiconductor konzentriert sich zunächst auf die Energieeffizienz
- Die Lidar-Plattform des ON Semiconductor-Silizium-Photovervielfachers (SiPM) mit direkter Flugzeit (dToF) bietet vorgefertigte Designs für industrielle Anwendungen
- ON Semiconductor und Theta Power Systems International gehen eine Partnerschaft für Motorsteuerungsanwendungen ein
- ON Semiconductor ernennt Hassane El-Khoury zum Nachfolger des CEO (CEO)