FDB035AN06A0
- Artikelnummer:
- FDB035AN06A0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 81998 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDB035AN06A0.pdf
Einführung
We can supply FDB035AN06A0, use the request quote form to request FDB035AN06A0 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDB035AN06A0.The price and lead time for FDB035AN06A0 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDB035AN06A0.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDB035AN06A0 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 310W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | FDB035AN06A0CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 124nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 60V 22A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 22A (Ta), 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FDB035AN06A0
läst Nachrichten
- Onsemi startete die weltweit erste Mautverpackung 650 V Silicon Carbide MOSFET
- Das Motor Development Kit von ON Semiconductor konzentriert sich zunächst auf die Energieeffizienz
- Die Lidar-Plattform des ON Semiconductor-Silizium-Photovervielfachers (SiPM) mit direkter Flugzeit (dToF) bietet vorgefertigte Designs für industrielle Anwendungen
- ON Semiconductor und Theta Power Systems International gehen eine Partnerschaft für Motorsteuerungsanwendungen ein
- ON Semiconductor ernennt Hassane El-Khoury zum Nachfolger des CEO (CEO)