EM6M1T2R
- Artikelnummer:
- EM6M1T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 83256 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- EM6M1T2R.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-EM6M1T2R |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | EM6M1T2RTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V, 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100mA, 200mA |
| Basisteilenummer: | 6M1 |
| Email: | [email protected] |
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