BS108/01,126
- Artikelnummer:
- BS108/01,126
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 66920 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BS108/01,126.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-BS108/01,126 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen: | 934009850126 BS108/01 AMO BS108/01 AMO-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.8V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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