2SJ656
- Artikelnummer:
- 2SJ656
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 68220 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 2SJ656.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-2SJ656 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220ML |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 75.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen: | 869-1053 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 100V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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