Interne Teilenummer | RO-2SD2257,KEHINQ(J |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220NIS |
Serie: | - |
Leistung - max: | 2W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
Andere Namen: | 2SD2257KEHINQ(J 2SD2257KEHINQJ |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 2W Through Hole TO-220NIS |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 2000 @ 2A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
Email: | [email protected] |