Interne Teilenummer | RO-11AA020T-I/MNY |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 5ms |
Spannungsversorgung: | 1.8 V ~ 5.5 V |
Technologie: | EEPROM |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-TDFN (2x3) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-WFDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | 11AA020T-I/MNYTR |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 2Kb (256 x 8) |
Speicherschnittstelle: | Single Wire |
Speicherformat: | EEPROM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 5 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | EEPROM Memory IC 2Kb (256 x 8) Single Wire 100kHz 8-TDFN (2x3) |
Uhrfrequenz: | 100kHz |
Basisteilenummer: | 11AA020 |
Email: | [email protected] |