Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6015KNZC8
R6015KNZC8
R6015KNZC8
Part Number:
R6015KNZC8
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
75048 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
R6015KNZC8.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply R6015KNZC8, use the request quote form to request R6015KNZC8 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6015KNZC8.The price and lead time for R6015KNZC8 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6015KNZC8.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-R6015KNZC8
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-3PF
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 6.5A, 10V
Ztráta energie (Max):60W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-3P-3 Full Pack
Ostatní jména:R6015KNZC8TR
R6015KNZC8TR-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:15 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:27.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3PF
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro R6015KNZC8

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
R60200-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Dotaz
R6015KNX Image R6015KNX LAPIS Semiconductor NCH 600V 15A POWER MOSFET Dotaz
R6020225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB Dotaz
R6020422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB Dotaz
R60200-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Dotaz
R6015ENX Image R6015ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A TO220 Dotaz
R6020235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB Dotaz
R6015FNJTL Image R6015FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A LPT Dotaz
R6015ANX Image R6015ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Dotaz
R6015KNJTL Image R6015KNJTL LAPIS Semiconductor NCH 600V 15A POWER MOSFET Dotaz
R60200-1CRQ Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Dotaz
R60200-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Dotaz
R6015ENZC8 Image R6015ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Dotaz
R6018ANJTL Image R6018ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Dotaz
R6015ANZC8 Image R6015ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Dotaz
R6015ENJTL Image R6015ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A LPT Dotaz
R6015ANJTL Image R6015ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Dotaz
R6020222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB Dotaz
R6015FNX Image R6015FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Dotaz
R60200-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Dotaz

Latest News