Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTY2N80P
IXTY2N80P
Part Number:
IXTY2N80P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
62852 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
IXTY2N80P.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply IXTY2N80P, use the request quote form to request IXTY2N80P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTY2N80P.The price and lead time for IXTY2N80P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTY2N80P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-IXTY2N80P
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-252, (D-Pak)
Série:PolarHV™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 1A, 10V
Ztráta energie (Max):70W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):800V
Detailní popis:N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro IXTY2N80P

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
IXTY1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK Dotaz
IXTY44N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 44A TO-252 Dotaz
IXTY26P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 Dotaz
IXTY3N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK Dotaz
IXTY1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Dotaz
IXTY1R6N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Dotaz
IXTY32P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 32A TO-252 Dotaz
IXTY4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH TO-252 Dotaz
IXTY2N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 Dotaz
IXTY24N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 Dotaz
IXTY2N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK Dotaz
IXTY50N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 50A TO-252 Dotaz
IXTY1R4N60P TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK Dotaz
IXTY4N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252 Dotaz
IXTY2N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 Dotaz
IXTY2R4N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Dotaz
IXTY3N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK Dotaz
IXTY1R6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Dotaz
IXTY55N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 Dotaz
IXTY48P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 Dotaz

Latest News