Číslo interní součásti | RO-IRF7807VTR |
---|---|
Stav | Original New |
Země původu | Contact us |
Nejlepší značení | email us |
Výměna, nahrazení | See datasheet |
Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
Série: | HEXFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 2.5W (Ta) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Detailní popis: | N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |