STQ1NK80ZR-AP
- Номер на частта:
- STQ1NK80ZR-AP
- Производител:
- STMicroelectronics
- описание:
- MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 47036 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- STQ1NK80ZR-AP.pdf
Въведение
We can supply STQ1NK80ZR-AP, use the request quote form to request STQ1NK80ZR-AP pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number STQ1NK80ZR-AP.The price and lead time for STQ1NK80ZR-AP depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# STQ1NK80ZR-AP.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-92-3 |
| серия: | SuperMESH™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 16 Ohm @ 500mA, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 3W (Tc) |
| Опаковка: | Tape & Box (TB) |
| Пакет / касета: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Други имена: | 497-6197-3 STQ1NK80ZRAP |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 38 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 160pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 800V |
| Подробно описание: | N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за STQ1NK80ZR-AP
Latest News
- Превключвателят с висок ръст на полупроводниковия двоен канал носи повече гъвкавост в дизайна на задвижването на натоварването на капацитета
- ST полупроводник пуска на трето поколение силицийски карбидни продукти за насърчаване на бъдещото развитие на електрически превозни средства и промишлени приложения.
- Водещият STM32 микроконтролер в полупроводниковия пазар ускорява развитието на безжичния продукт