Вътрешен номер на част | RO-SI7317DN-T1-GE3 |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
Vgs (макс): | ±30V |
технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
Пакет на доставчик на устройства: | PowerPAK® 1212-8 |
серия: | TrenchFET® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
Разсейване на мощност (макс.): | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
Пакет / касета: | PowerPAK® 1212-8 |
Други имена: | SI7317DN-T1-GE3TR |
Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
Производител Стандартно време за доставка: | 33 Weeks |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 365pF @ 75V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 9.8nC @ 10V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 150V |
Подробно описание: | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |