SI2367DS-T1-GE3
- Номер на частта:
- SI2367DS-T1-GE3
- Производител:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- описание:
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 85129 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- SI2367DS-T1-GE3.pdf
Въведение
We can supply SI2367DS-T1-GE3, use the request quote form to request SI2367DS-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI2367DS-T1-GE3.The price and lead time for SI2367DS-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI2367DS-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-SI2367DS-T1-GE3 |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±8V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | SOT-23-3 (TO-236) |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Други имена: | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 561pF @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 23nC @ 8V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за SI2367DS-T1-GE3
Latest News
- Принцип на работна кондензатор
- Renesas е първият, който пусна универсален 32-битов RISC-V MCU със самостоятелно развитото ядро на процесора
- На сензора за изображение с ниска сила на Anmei, обърнат към съвременната визуална система
- ADI си сътрудничи с BMW Group за стартиране на водещата 10MB автомобилна технология от 10MB, отваряйки нова глава в автомобилите за дефиниция на софтуера
- Vishay стартира потенциометъра на копчето, опростявайки дизайна на индустриални и аудио приложения и оптимизиране на разходите
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро