IRLML6302TR
- Номер на частта:
- IRLML6302TR
- Производител:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- описание:
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- Статус на RoHS:
- Съдържа олово / RoHS несъответстващо
- Количество на склад:
- 73580 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- IRLML6302TR.pdf
Въведение
We can supply IRLML6302TR, use the request quote form to request IRLML6302TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IRLML6302TR.The price and lead time for IRLML6302TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IRLML6302TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-IRLML6302TR |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±12V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | Micro3™/SOT-23 |
| серия: | HEXFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 540mW (Ta) |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Други имена: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 97pF @ 15V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 4.5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 780mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
