Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
Номер на частта:
EPC2032ENGR
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
85297 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2032ENGR.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2032ENGR, use the request quote form to request EPC2032ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2032ENGR.The price and lead time for EPC2032ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2032ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2032ENGR
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Изпитване на напрежение:1530pF @ 50V
Напрежение - Разбивка:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:4 mOhm @ 30A, 5V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
серия:eGaN®
Състояние на RoHS:Tray
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:48A (Ta)
поляризация:Die
Други имена:917-EPC2032ENGR
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Номер на частта на производителя:EPC2032ENGR
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:15nC @ 5V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:2.5V @ 11mA
FET Feature:N-Channel
Разширено описание:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):-
описание:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:100V
Съотношение на капацитета:-
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2032ENGR

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Разследване
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Разследване
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Разследване
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Разследване
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Разследване
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Разследване
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Разследване
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Разследване
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Разследване
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Разследване

Latest News