1N914BTR
- Номер на частта:
- 1N914BTR
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 58276 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1N914BTR.pdf
Въведение
We can supply 1N914BTR, use the request quote form to request 1N914BTR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 1N914BTR.The price and lead time for 1N914BTR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 1N914BTR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-1N914BTR |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1V @ 100mA |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 100V |
| Пакет на доставчик на устройства: | DO-35 |
| скорост: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| серия: | - |
| Време за обратно възстановяване (trr): | 4ns |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Други имена: | 1N914BTRTR 1N914BTRTR-ND |
| Работна температура - връзка: | -65°C ~ 175°C |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 22 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип диод: | Standard |
| Подробно описание: | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 5µA @ 75V |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io): | 200mA |
| Капацитет @ Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Номер на базовата част: | 1N914B |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за 1N914BTR
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)