رقم الجزء الداخلي | RO-MT29F512G08CMCBBH7-6R:B |
---|---|
شرط | Original New |
بلد المنشأ | Contact us |
أعلى العلامات | email us |
إستبدال | See datasheet |
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
تكنولوجيا: | FLASH - NAND |
سلسلة: | - |
درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
حجم الذاكرة: | 512Gb (64G x 8) |
واجهة الذاكرة: | Parallel |
تنسيق الذاكرة: | FLASH |
وصف تفصيلي: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz |
تردد على مدار الساعة: | 166MHz |
Email: | [email protected] |