SQJ431EP-T1_GE3
- Parça Numarası:
- SQJ431EP-T1_GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 60348 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- SQJ431EP-T1_GE3.pdf
Giriş
We can supply SQJ431EP-T1_GE3, use the request quote form to request SQJ431EP-T1_GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SQJ431EP-T1_GE3.The price and lead time for SQJ431EP-T1_GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SQJ431EP-T1_GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-SQJ431EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Gerilim - Deney: | 4355pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | PowerPAK® SO-8 |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (Maks.): | 6V, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 12A (Tc) |
| polarizasyon: | PowerPAK® SO-8 |
| Diğer isimler: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| FET Özelliği: | P-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 200V |
| kapasitans Oranı: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SQJ431EP-T1_GE3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı
- Vishay, yeni 10 MBD düşük güçlü ışık kuplajını başlattı, 5 Ma kadar düşük, voltaj aralığı 2.7 V ila 5.5 V
- Melexis, güvenilir güvenliği entegre etmek için yeni bir akıllı yönlendirme çözümü başlattı
- Toshiba, endüstriyel ekipmanların verimli ve minyatürleştirilmesine yardımcı olmak için endüstrinin ilk 2200V çift -karbür mosfet modülünü geliştirdi.
- DDR5 dönemi yaklaşıyor ve yeni zorluklar göz ardı edilemez
- Renesas bir sonraki nesil CAR SOC ve MCU İşlemci Ürün Rota Haritası'nı açar