NTGD4161PT1G
- 제품 모델:
- NTGD4161PT1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 49520 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NTGD4161PT1G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-NTGD4161PT1G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 테스트: | 281pF @ 15V |
| 전압 - 파괴: | 6-TSOP |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 160 mOhm @ 2.1A, 10V |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1.5A |
| 전력 - 최대: | 600mW |
| 편광: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | NTGD4161PT1G |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 7.1nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET 특징: | 2 P-Channel (Dual) |
| 확장 설명: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 600mW Surface Mount 6-TSOP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | Logic Level Gate |
| 기술: | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 30V |
| Email: | [email protected] |
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