내부 부품 번호 | RO-BSC037N08NS5ATMA1 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 테스트: | 4200pF @ 40V |
전압 - 파괴: | PG-TDSON-8 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (최대): | 6V, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | OptiMOS™ |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100A (Tc) |
편광: | 8-PowerTDFN |
다른 이름들: | BSC037N08NS5ATMA1-ND BSC037N08NS5ATMA1TR SP001294988 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 16 Weeks |
제조업체 부품 번호: | BSC037N08NS5ATMA1 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 58nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 3.8V @ 72µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80V |
용량 비율: | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
Email: | [email protected] |