내부 부품 번호 | RO-2SA11100Q |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 120V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 1V @ 30mA, 300mA |
트랜지스터 유형: | PNP |
제조업체 장치 패키지: | TO-126B-A1 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 1.2W |
포장: | Bulk |
패키지 / 케이스: | TO-225AA, TO-126-3 |
다른 이름들: | 2SA1110 2SA1110-ND |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환: | 200MHz |
상세 설명: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 500mA 200MHz 1.2W Through Hole TO-126B-A1 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 90 @ 150mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | - |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 500mA |
Email: | [email protected] |