内部モデル | RO-MC33152DR2G |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - ブレークダウン: | 8-SOIC |
シェルスタイル: | 6.1 V ~ 18 V |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
立上り/立下り時間(Typ): | 1.5A, 1.5A |
偏光: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | MC33152DR2GOS MC33152DR2GOS-ND MC33152DR2GOSTR |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
入力周波数: | Low-Side |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | MC33152DR2G |
ロジック電圧 - VIL、VIH: | N-Channel MOSFET |
入力タイプ: | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): | 36ns, 32ns |
ゲートタイプ: | 2 |
拡張された説明: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
説明: | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク): | 0.8V, 2.6V |
1回線あたりのチャネル数: | Independent |
Email: | [email protected] |