IPB035N08N3 G
IPB035N08N3 G
部品型番:
IPB035N08N3 G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
62592 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
IPB035N08N3 G.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-IPB035N08N3 G
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - テスト:8110pF @ 40V
電圧 - ブレークダウン:PG-TO263-2
同上@ VGS(TH)(最大):3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(最大):6V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:OptiMOS™
RoHSステータス:Digi-Reel®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):100A (Tc)
偏光:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:IPB035N08N3 GDKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:IPB035N08N3 G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:117nC @ 10V
IGBTタイプ:±20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:3.5V @ 155µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80V
静電容量比:214W (Tc)
Email:[email protected]

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