内部モデル | RO-BSC037N08NS5ATMA1 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 4200pF @ 40V |
電圧 - ブレークダウン: | PG-TDSON-8 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(最大): | 6V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | OptiMOS™ |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 100A (Tc) |
偏光: | 8-PowerTDFN |
他の名前: | BSC037N08NS5ATMA1-ND BSC037N08NS5ATMA1TR SP001294988 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | BSC037N08NS5ATMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 58nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3.8V @ 72µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 80V |
静電容量比: | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
Email: | [email protected] |