BSC037N08NS5ATMA1
- Modello di prodotti:
- BSC037N08NS5ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 84214 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BSC037N08NS5ATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-BSC037N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Prova: | 4200pF @ 40V |
| Tensione - Ripartizione: | PG-TDSON-8 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100A (Tc) |
| Polarizzazione: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSC037N08NS5ATMA1-ND BSC037N08NS5ATMA1TR SP001294988 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSC037N08NS5ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 58nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8V @ 72µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80V |
| rapporto di capacità: | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
