NSR10F30QNXT5G
- Modèle de produit:
- NSR10F30QNXT5G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 85636 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSR10F30QNXT5G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NSR10F30QNXT5G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Inverse de crête (max): | Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1A (DC) |
| Tension - Ventilation: | 2-DSN (1.4x0.6) |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | 2-XDFN |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Référence fabricant: | NSR10F30QNXT5G |
| Description élargie: | Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6) |
| Configuration diode: | 100µA @ 30V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 470mV @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 30V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
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