IRF6612TR1
IRF6612TR1
Modèle de produit:
IRF6612TR1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
45147 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF6612TR1.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IRF6612TR1
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.25V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ MX
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.3 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric MX
Autres noms:*IRF6612
IRF6612CT
IRF6612CT-ND
IRF6612TR1CT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3970pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:24A (Ta), 136A (Tc)
Email:[email protected]

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