NSR10F30QNXT5G
- Número de pieza:
- NSR10F30QNXT5G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 85636 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NSR10F30QNXT5G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-NSR10F30QNXT5G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A (DC) |
| Tensión - Desglose: | 2-DSN (1.4x0.6) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | 2-XDFN |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NSR10F30QNXT5G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6) |
| configuración de diodo: | 100µA @ 30V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 470mV @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 30V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
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