Вътрешен номер на част | RO-IRF6612TR1 |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
Vgs (макс): | ±20V |
технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
Пакет на доставчик на устройства: | DIRECTFET™ MX |
серия: | HEXFET® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 24A, 10V |
Разсейване на мощност (макс.): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Опаковка: | Cut Tape (CT) |
Пакет / касета: | DirectFET™ Isometric MX |
Други имена: | *IRF6612 IRF6612CT IRF6612CT-ND IRF6612TR1CT |
Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 3 (168 Hours) |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 3970pF @ 15V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 30V |
Подробно описание: | N-Channel 30V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 24A (Ta), 136A (Tc) |
Email: | [email protected] |