內部型號 | RO-MJD5731T4G |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 1A |
電壓 - 擊穿: | DPAK-3 |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 350V |
系列: | - |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 10MHz |
功率 - 最大: | 1.56W |
極化: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 6 Weeks |
製造商零件編號: | MJD5731T4G |
頻率 - 轉換: | 30 @ 300mA, 10V |
展開說明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3 |
描述: | TRANS PNP 350V 1A DPAK |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 100µA |
電流 - 集電極截止(最大): | 1V @ 200mA, 1A |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | PNP |
Email: | [email protected] |