EL817M(D)-V
- Artikelnummer:
- EL817M(D)-V
- Tillverkare:
- Everlight Electronics
- Beskrivning:
- OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
- RoHS-status:
- Blyfri / Överensstämmer med RoHS
- Antal i lager:
- 67538 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- EL817M(D)-V.pdf
Introduktion
We can supply EL817M(D)-V, use the request quote form to request EL817M(D)-V pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EL817M(D)-V.The price and lead time for EL817M(D)-V depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EL817M(D)-V.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-EL817M(D)-V |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Uppdelning: | 4-DIP |
| Vce Mättnad (Max): | - |
| Slå på / stäng av tid (typ): | 600% @ 5mA |
| Serier: | - |
| RoHS-status: | Tube |
| Polarisering: | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Utmatningstyp: | Transistor |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 110°C |
| Antal kanaler: | 1 |
| Buller - 0,1Hz till 10Hz: | 35V |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | EL817M(D)-V |
| Kit Type: | 200mV |
| Inmatningstyp: | DC |
| Högsidans spänning - Max (Bootstrap): | 4µs, 3µs |
| Utvidgad beskrivning: | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP |
| Beskrivning: | OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP |
| Nuvarande överföringsförhållande (Min): | 60mA |
| Nuvarande överföringsförhållande (Max): | 300% @ 5mA |
| Ström - DC Framåt (Om) (Max): | 1.2V |
| Nuvarande - Breakover: | 5000Vrms |
| Kanaler per IC: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till EL817M(D)-V
Latest News
- Toshiba lanserar SmartMCD Series Gate Driver IC med inbäddad mikrokontroller
- ADI -distribution Sambanova -kit, främjar produktionsformeln AI för att uppnå genombrott på en företagsnivå
- Honeywell och ADI gick samman för att marknadsföra innovation och förändring av byggnadsautomation
- Maxim tillkännagav lanseringen
- Maxim lanserar en bil DC-DC-omvandlare MAX16984, en bil med integrerade USB-laddningsupptagare
- Renesas Electronics lanserar branschens första programmerbara elektriska drivkraft
- Renesas lanserade den första generationen av 32-bitars RISC-V CPU-kärna
- Vishay lanserade den nya 10 MBD -lågkraftskopplingen, så låg som 5 mA, spänningsområdet är 2,7 V till 5,5 V
- Melexis lanserade en ny intelligent avledande lösning för att integrera tillförlitlig säkerhet
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning
- DDR5 -eran närmar sig och nya utmaningar kan inte ignoreras
- Renesas öppnar nästa -Generation Car SOC och MCU Processor Product Route Map