STD16N65M2
- Modelo do Produto:
- STD16N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 89718 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- STD16N65M2.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-STD16N65M2 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Teste: | 718pF @ 100V |
| Tensão - Breakdown: | DPAK |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | MDmesh™ M2 |
| Status de RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11A (Tc) |
| Polarização: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 497-15258-6 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | STD16N65M2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 19.5nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Rácio de capacitância: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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