SIHG33N65E-GE3
- Part Number:
- SIHG33N65E-GE3
- Producent:
- Vishay / Siliconix
- Opis:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 89490 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
Wprowadzenie
We can supply SIHG33N65E-GE3, use the request quote form to request SIHG33N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHG33N65E-GE3.The price and lead time for SIHG33N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHG33N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - Test: | 4040pF @ 100V |
| Napięcie - Podział: | TO-247AC |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (maks.): | 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 32.4A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | SIHG33N65E-GE3 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 173nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Stosunek pojemności: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIHG33N65E-GE3
Latest Aktualności
- Toshiba uruchamia IC Stern Series Series Series z wbudowanym mikrokontrolerem
- Adi wdrażanie zestawu sambanova, promując formułę produkcyjną AI w celu osiągnięcia przełomu na poziomie przedsiębiorstw
- Honeywell i Adi połączyli ręce, aby promować innowacje i zmianę automatyzacji budynku
- Maxim ogłosił premierę
- Maxim uruchamia CAR DC-DC Converter MAX16984, samochód ze zintegrowanymi wyliczającymi ładunki USB
- Renesas Electronics uruchamia pierwszego programowalnego sterownika elektrycznego w branży IC
- Renesas wprowadził pierwszą generację 32-bitowego jądra procesora RISC-V
- Vishay uruchomił nowe sprzężenie światła o niskiej mocy 10 MBD, tak niskie jak 5 mA, zakres napięcia wynosi od 2,7 V do 5,5 V
- Melexis uruchomił nowe inteligentne rozwiązywanie zmian w celu zintegrowania niezawodnego bezpieczeństwa
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego
- Zbliża się era DDR5, a nowych wyzwań nie można zignorować
- Renesas otwiera następną mapę trasy samochodowej i procesora MCU