内部モデル | RO-IRFH5304TRPBF |
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状況 | Original New |
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トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 2360pF @ 10V |
電圧 - ブレークダウン: | PQFN (5x6) |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 22A (Ta), 79A (Tc) |
偏光: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | IRFH5304TRPBF-ND IRFH5304TRPBFTR SP001564156 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | IRFH5304TRPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 41nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.35V @ 50µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30V |
静電容量比: | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
Email: | [email protected] |