内部モデル | RO-IRF6648TR1 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 2120pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | DIRECTFET™ MN |
同上@ VGS(TH)(最大): | 7 mOhm @ 17A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 86A (Tc) |
偏光: | DirectFET™ Isometric MN |
他の名前: | IRF6648 IRF6648-ND SP001571492 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 2 (1 Year) |
製造元の部品番号: | IRF6648TR1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 50nC @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4.9V @ 150µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 60V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60V |
静電容量比: | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Email: | [email protected] |